【武漢純水設(shè)備】電子行業(yè)電阻率≥18MΩ·cm超純水設(shè)備

電子行業(yè)對(duì)超純水的水質(zhì)要求極為嚴(yán)苛，尤其是電阻率需達(dá)到≥18MΩ·cm（25℃），同時(shí)需控制總有機(jī)碳（TOC）、顆粒物、微生物等指標(biāo)。

一、水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

1、電阻率：≥18MΩ·cm（25℃），高標(biāo)準(zhǔn)需達(dá)到18.25MΩ·cm（如芯片清洗）。

2、TOC：通常要求<5ppb。

3、顆粒物：≤0.1個(gè)/ml（粒徑≥0.1μm）。

4、微生物：≤1CFU/mL。

二、工藝流程

1. 原水處理：去除懸浮物、余氯及大顆粒，常用石英砂、活性炭過(guò)濾器和軟化器。

2、保安過(guò)濾器：5μm濾芯保護(hù)后續(xù)RO膜。

3、雙級(jí)反滲透（RO）：去除95%以上的離子、膠體及有機(jī)物，延長(zhǎng)EDI壽命。一級(jí)RO出水電阻率約0.05-1MΩ·cm，二級(jí)RO提升至5-15MΩ·cm。

4、 EDI膜堆：通過(guò)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)離子遷移，結(jié)合離子交換樹(shù)脂連續(xù)脫鹽，無(wú)需化學(xué)再生。將電阻率提升至5-16MΩ·cm，顯著降低TOC和顆粒物。

5、拋光混床樹(shù)脂：核子級(jí)樹(shù)脂，去除殘余離子及弱電解質(zhì)，最終電阻率≥18MΩ·cm。

6、紫外線殺菌：破壞微生物DNA，降低TOC。

7、精密過(guò)濾：0.22μm濾芯攔截微粒，確保水質(zhì)穩(wěn)定性。

電子行業(yè)超純水設(shè)備需以“預(yù)處理+雙級(jí)RO+EDI+拋光樹(shù)脂”為核心工藝，確保電阻率≥18MΩ·cm。實(shí)際應(yīng)用中需根據(jù)企業(yè)需求定制方案，并關(guān)注環(huán)保與成本優(yōu)化。武漢反滲透純水設(shè)備武漢EDI超純水處理設(shè)備 武漢工業(yè)純水設(shè)備 武漢實(shí)驗(yàn)室超純水設(shè)備 武漢醫(yī)藥純化水設(shè)備